Изготовление изделий гибридной микроэлектроники

В процессе изготовления тонкопленочных микроплат и микросборок применяются следующие технологические процессы:

• вакуумное напыление (термическое, ионно-плазменное);
• фотолитография;
• гальваноосаждение;
• подгонка сопротивлений резисторов лазером или анодированием;
• резка подложек;
• микросварка (контактная, термокомпрессионная, ультразвуковая, термозвуковая);
• герметизация (лазерная сварка, пайка мягким припоем) с осушенными инертными газами;
• масс-спектрометрический контроль герметичности.

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:

Материалы подложек	поликор, ситалл, нитрид алюминия, керамика, кварцевое стекло, ферриты
Материалы резисторов	тантал, нихром, сплавы РС-3710, РС-5406, К-20С, К-50С
Материалы проводников и контактных площадок	хром(ванадий)-алюминий, хром(ванадий)-медь-никель с покрытием золото или олово-висмут
Материалы защитного слоя	фоторезист ФН 11-С(К), лак АД-9103
Количество проводниковых уровней	до 2
Толщина проводников и контактных, площадок	от 1,0 до 10,0 мкм
Минимальная ширина проводников/зазоров	70/70 мкм
Диапазон номиналов резисторов	от 2,0 Ом до 1,0 МОм
Точность изготовления резисторов	±1%
Материалы выводов и перемычек	проволока золотая диаметром от 20 до 100 мкм, проволока алюминиевая диаметром 30 мкм, лента золотая толщиной от 7 до 30 мкм, лента алюминиевая толщиной 30 мкм, лента из медной фольги толщиной 15 мкм с покрытием Зл3
Типы монтируемых ЭРИ	бескорпусные полупроводниковые приборы 2, 3, 5 и 6 модификации по ОСТ В 11 336.018 ОТУ, бескорпусные микросхемы и их модификации по ОСТ В 11 1010-2001 ОТУ
Герметизируемые объемы	от 0,9 до 400 см³
Состав инертной среды	аргон, гелий
Герметичность	не более 5х10^-4 л•мкм рт.ст./с
Содержание паров воды во внутреннем объеме	не более 0,5 % об. при 100^оС

ИЗГОТОВЛЕНИЕ ГИБКИХ ПОЛИИМИДНЫХ НОСИТЕЛЕЙ КРИСТАЛЛОВ

Метод изготовления: двухсторонняя фотолитография

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:

Материал	диэлектрик лакофольговый марки ФДИ А-220
Количество алюминиевых выводов	до 156
Расположение выводов	четырехстороннее
Минимальная ширина проводников/зазоров	80 мкм

ИЗГОТОВЛЕНИЕ МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

В процессе изготовления магниточувствительных элементов применяются следующие технологические процессы:

• вакуумное напыление (электронно-лучевое в постоянном магнитном поле, термическое),
• фотолитография,
• контроль магнитных и электропараметров,
• резка,
• монтаж

МНОГОСЛОЙНЫЕ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ДЛЯ ИНДУКЦИОННЫХ ДАТЧИКОВ

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:

Коэрцитивная сила вдоль оси легкого намагничивания (Нсл), А/м	70 – 130
Коэрцитивная сила вдоль оси трудного намагничивания (Нст), не более, А/м,	20
Поле анизотропии (Нк), А/м	300 – 400
Коэффициент прямоугольности петли гистерезиса, не менее	0,8
Коэффициент преобразования датчика, мВ/мкТл	7,5
Уровень магнитных шумов, нТл/vГц, не более	0,2

МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЕ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ
ДЛЯ КОМПАСНЫХ ДАТЧИКОВ

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:

Материал магниторезистивного слоя	Ni-Fe	Ni-Fe-Со
Диапазон магнитных полей, мкТл	± 200	± 200
Удельная чувствительность, мВ/ВЭ	2,5 – 3,2	0,8 – 1,0
Нелинейность передаточной характеристики не более, %	2	0,5
Напряжение питания, В	5	5

МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЕ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ
ДЛЯ ПОРОГОВЫХ ДАТЧИКОВ

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:

Материал магниторезистивного слоя	Ni-Fe-Со	Ni-Fe-Со
Количество мостов Уинстона	1	2
Угловой диапазон измерений	±45°	± 90°
Поле насыщения, мТл	8	8
Напряжение питания, В	5	5

Контактная информация:

Спорынин Владимир Федорович, начальник НИО гибридной микроэлектроники
тел. 8 (831) 469 -52-74
e-mail: vSporynin@niiis.nnov.ru

Контактная информация