Новости

Весь цвет отечественной микроэлектроники 2-3 марта собрался на нижегородской земле - на базе ФГУП «ФНПЦ НИИ измерительных систем им. Ю.Е. Седакова» (НИИИС) состоялся XI научно-практический семинар «Проблемы создания больших и сверхбольших интегральных схем на основе гетероструктур». Основные цели семинара – анализ современного состояния разработок отечественной специальной электронной компонентной базы (ЭКБ) различного функционального назначения, постановка новых и выбор наиболее приоритетных задач, оценка выполнения решений предыдущего семинара. Руководил работой семинара заместитель директора НИИИС по микроэлектронике Л.А.Синегубко. Участников приветствовал член оргкомитета семинара, заместитель директора НИИИС по научной работе С.В.Катин.

В работе семинара приняли участие около 100 человек из числа руководителей и ведущих специалистов предприятий Росатома, Роскосмоса, Российской академии наук, Минобороны РФ, Министерства образования и науки РФ. В 30 пленарных и 8 стендовых докладах рассматривались актуальные вопросы отечественной микроэлектроники. Участники обменялись информацией о результатах выполняемых работ и мероприятиях по координации деятельности в таких областях, как проектирование, технология изготовления и испытания ЭКБ.

В ходе семинара сформулированы общие подходы специалистов всех организаций к решению проблемных вопросов разработки и производства специальной элементной базы в России. Отмечено, что НИИИС в значительной степени играет роль координатора и постановщика задач в области проектирования и производства ЭКБ.НИИИС представляет собой производственный и научно-экспериментальный комплекс, в котором не толькореализуется проектирование с использованием современных аппаратных и программных средств микросхем разных типов, их серийное изготовление, но и создана база для проведения поисковых научных исследований в области микроэлектроники. Многие проводимые в центре работы выполняются в тесной кооперации с другими организациями и предприятиями, работающими в данной области.

На итоговом заседании определены стратегические направления развития специальной отечественной микроэлектроники, намечены новые направления разработки перспективной ЭКБ, принято решение активизировать работу по сквозному моделированию как микросхем, так и их испытаний. По мнению ученых и производственников, это должно привести к повышению качества и сокращению сроков разработки микросхем.